Tauhohenga herea Silicon Carbide Tile
Painga o Reaction Bonded Silicon Carbide
1) Kiato iti.
2) Te aukati waikura.
3) Whakamaua te aukati.
4) Ātete hāora.
5) Abrasion ātete.
6) He pai te parenga waiariki (na te iti o te whakarea whakareatanga o te waiariki me te kaha o te kawe wera).
7) Te kaha pai i te pāmahana teitei.
8) He pai te whakahaere ahu o nga ahua uaua.
Whakakakahu i nga hua Atete: Pereti carbide Silicon, pereki carbide Silicon, Ripa paipa, Pipe Cone, cyclone, etc.
Nga taonga kiln: Pereti, Kurupae, Roera, Puha Kaitahu, Kurupae Porohita, kurupae tapawha, kurupae poka.Crucible, Sagger, etc.
Ko etahi atu: Nga puha whakangao
Te Whakamahinga o te Tauhohenga Silicon Carbide:
Ko te tauhohenga herea silicon carbide he mea tino pai rawa atu mo nga tono kakahu penei i te paipa paipa, Nozzles, koowaotanga rere me nga waahanga kakahu nui i roto i te maina me etahi atu ahumahi.
Tawhā Matua
| Āhuatanga | Waeine | SiSiC/RBSIC |
| Kiato rahi (SiC) | V01% | ≥85 |
| Kiato rahi | g/cm3 | 3.01 |
| Ka kitea te porosity | % | <0.1 |
| Kōwae pakaru i te 20 ℃ | Mpa | 250 |
| Kōwae pakaru i te 1200 ℃ | Mpa | 280 |
| Kōwae o te elasticity i 20 ℃ | Gpa | 330 |
| Te pakari o te whati | Mpa*m1/2 | 3.3 |
| Te Waahanga i te 1200 ℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Te roha wera i te 1200 ℃ | a×10-6/℃ | 4.5 |
| Te ātete ru werawera i te 1200 ℃ | Tino pai | |
| Te whakarea o te iraruke wera | <0.9 | |
| Max.mahi pāmahana | ℃ | 1350 |
Rahi
ka taea te whakarite kia rite ki nga whakaritenga a te kaihoko.
Ratonga
Ka whakaaetia e matou nga ota ritenga.
Mena kei te pirangi koe ki te mohio atu ki nga korero hua, nau mai ki te whakapiri mai ki a maatau ka whakawhiwhia e matou ki a koe te hua tino pai me te ratonga pai rawa atu!
